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碳化硅 相关话题

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电子发烧友网报道(文/梁浩斌)在碳化硅产业链中,衬底是价值量最大的部分,在碳化硅器件成本构成中衬底甚至能够占近50%,相比之下,硅基半导体器件的成本构成中,作为衬底的硅片一般只占不到10%。成本占比较高的原因,主要是碳化硅单晶材料的制备难度较大。硅由于存在液体形态,所以可以通过垂直拉伸来形成晶棒,但碳化硅本身属于化合物,无法直接熔融结晶成为晶体。换个说法就是碳化硅在常压下没有液体形态,只有气态和固态,达到一定温度后就直接从固体升华成气体,也就无法与硅晶棒一样用直拉法制备。那么要如何制造碳化硅晶
受访嘉宾 | 黄宏留 杰平方半导体副总经理 杰平方半导体是业内少有的专注高毛利、高壁垒市场的碳化硅IDM企业。虽然成立仅2年,但公司的发展明显超预期。目前,公司的主要产品已经在汽车、光伏等领域实现了批量出货。未来,在自有晶圆厂量产及小米产投等积极因素的助力下,预计公司将驶入发展的快车道。 SiC 具有大禁带宽度、高击穿电场强度、高饱和漂移速度等优良特性,目前已经成为半导体领域最火热、最具前景的材料之一。 最近,芯八哥“走进产业链”栏目记者采访了国内碳化硅IDM的新锐企业杰平方半导体副总经理黄宏
电车续航焦虑本质是充电焦虑 油车在高速上40每隔公里有一个加油站,加油时间5分钟,这是油车没有续航焦虑的底气 电动车续航1000公里和续航500公里,只要充电不方便,充电时间长,都会存在有续航焦虑 而普及充电桩设施以及实现快充以缩短充电时间,是解决充电焦虑的唯一途径一方面,燃油车停售表在为电车的普及下达最后的通牒 另一方方面,充电不够便利依旧是电车续航致命的缺点。车企有能力造出1000公里续航的汽车,充电桩设施的普及依靠基础建设及资本投入,而高压快充则依靠技术突破 所以高压快充成了电车突破的瓶
英飞凌与韩国SK Siltron子企业SK Siltron CSS最近达成了一项重要协议。根据该协议,SK Siltron CSS将为英飞凌提供6英寸碳化硅(SiC)晶圆,以支持英飞凌在SiC半导体生产方面的需求。 作为协议的一部分,SK Siltron CSS还将协助英飞凌实现从6英寸到8英寸SiC晶圆的过渡。这一转变将进一步提升英飞凌在电动汽车和可再生能源市场的竞争力。 SK Siltron CSS是SK Siltron集团旗下专注于SiC材料制造的子公司。这家公司前身为美国杜邦公司的Si
本文从晶体结构、发展历史、制备方法等角度详细介绍SiC SiC 晶体的结构及性质 SiC是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物,即百分之五十的硅(Si)和百分之五十的碳(C),其基本结构单元为 Si-C 四面体。 举个例子,Si原子直径大,相当于苹果,C原子直径小,相当于橘子,把数量相等的橘子和苹果堆在一起就成了SiC晶体。 SiC 是一种二元化合物,其中 Si-Si 键原子间距为3.89 Å,这个间距如何理解呢?目前市面上最牛逼的光刻机光刻精度3nm,就是30Å的距离,光刻精度是
2023年,中国碳化硅产业迎来了迅猛发展。首先,8英寸碳化硅衬底技术取得重大突破,三安、天岳先进、天科合达等企业获得国际芯片巨头认可,并签订长期供货协议。同时,ST与三安合资建立碳化硅器件工厂,三安负责衬底供应。在产能扩张方面,今年以来,国内碳化硅衬底产能逐步实现,多家厂商的扩产项目在2023年达到量产或正在提升产能。许多碳化硅功率器件初创企业由fabless转型为IDM,一些IDM初创公司建立了自己的碳化硅晶圆厂。此外,碳化硅晶圆代工产能也有所提升,国内碳化硅产业链上下游产能在过去一年显著增
电子发烧友网报道(文/梁浩斌)在过去的2023年里,国内碳化硅产业经历了可能是发展速度最快的一年。首先是碳化硅衬底取得突破,8英寸进展神速,同时三安和天岳先进、天科合达等获得海外芯片巨头的认可,签下碳化硅衬底长期供货协议。ST还与三安合资建设碳化硅器件工厂,并由三安配套供应碳化硅衬底。另一方面产能扩张速度也较快,今年以来国内碳化硅衬底产能逐步落地,多家厂商的扩产项目都在2023年实现量产或是在产能爬坡过程中。与之相匹配的是,不少碳化硅功率器件初创企业也在这一年里从fabless转型为IDM,也
近日,深圳爱仕特科技有限公司 (以下简称“爱仕特”) 参报的《1700V碳化硅功率模块》项目获深圳企业创新纪录,上榜深圳工业总会公布第二十二届“深圳企业创新纪录”名单。 据悉,爱仕特于2022年研发的“1700V碳化硅功率模块”是我国市场上国内量产的首款高性能碳化硅功率模块,突破了从实验室到产业化的技术限制,填补了国内相关半导体分立器件制造的部分空白,已经实现产业化,相关产品被广泛应用于高速铁路、城市轨道交通、高压输电网及新能源储能产业中;且产品已通过欧洲航空行业相关认证,并进入了欧洲航空制造
12月22日消息,据意法半导体官微消息,该公司与理想汽车签署了一项碳化硅(SiC)长期供货协议。据悉,理想汽车即将推出的800V高压纯电平台将在电驱逆变器中采用意法半导体的第三代1200VSiCMOSFET技术。 公开资料显示,意法半导体总裁暨执行长Jean-Marc Chery在今年3月份表示,意法半导体目前已经与二十家车企达成合作,与工业客户和汽车客户正在进行中的合作项目有100多个。碳化硅整车企业客户包括比亚迪、吉利、长城、现代、小鹏等。一级供应商客户包括台达、华为、汇川、欣锐科技、阳光
1. 碳化硅具有耐高温、高压等优势,渗透率提升空 间大 近年来,第三代半导体发展迅速。由于第一代及第二代半导体材料自身的物理性能局 限,越来越无法满足新型领域如新能源汽车、智能电网、5G 通信等。根据 Yole(悠乐咨 询《全球碳化硅市场 2022 年度报告》)数据,2022 年全球第三代半导体材料碳化硅(SiC) 渗透率为 3%。 1) 第一代半导体材料以硅(Si)、锗(Ge)为代表,广泛应用于低压、低频、低功率 的晶体管和探测器中,90%以上的半导体产品是用硅基材料制作的; 2) 第二代半